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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
126
左右 68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
126
读取速度,GB/s
12.3
12.9
写入速度,GB/s
8.9
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1108
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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