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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
8.9
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2513
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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