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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
8.9
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3001
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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