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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
12.3
18.8
写入速度,GB/s
8.9
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3492
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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