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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
12.3
13.6
写入速度,GB/s
8.9
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3320
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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