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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
139
左右 71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
139
读取速度,GB/s
12.3
14.4
写入速度,GB/s
8.9
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1152
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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