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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
42
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.9
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3170
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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