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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.9
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
4065
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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