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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.9
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3447
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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