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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
12.3
18.4
写入速度,GB/s
8.9
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3265
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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