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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
40
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
8.9
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2981
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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