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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.3
18.7
写入速度,GB/s
8.9
13.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3423
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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