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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
16.6
写入速度,GB/s
8.9
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2495
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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