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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
73
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
73
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.9
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1853
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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