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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
15.2
写入速度,GB/s
8.9
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2724
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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