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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9965604-008.C00G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
47
读取速度,GB/s
12.3
11.0
写入速度,GB/s
8.9
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2341
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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