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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.3
12.1
写入速度,GB/s
8.9
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2460
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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