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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston KHX2133C14/16G 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.9
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2871
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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