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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
49
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
49
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
8.9
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2534
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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