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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
40
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
36
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.9
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2490
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905624-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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