Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

总分
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    11 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 6.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    10600 left arrow 8500
    左右 1.25 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    29 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    9.4 left arrow 11.0
  • 写入速度,GB/s
    6.2 left arrow 7.8
  • 内存带宽,mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1207 left arrow 1738
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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