Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11 left arrow 9.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 6.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 8500
    Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.4 left arrow 11.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.2 left arrow 7.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1207 left arrow 1738
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