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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
23
读取速度,GB/s
10.6
16.3
写入速度,GB/s
6.8
11.9
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2629
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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