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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
20
读取速度,GB/s
10.6
19.0
写入速度,GB/s
6.8
14.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3462
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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