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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
34
读取速度,GB/s
10.6
16.6
写入速度,GB/s
6.8
14.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3415
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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