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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
36
读取速度,GB/s
10.6
14.5
写入速度,GB/s
6.8
13.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3192
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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