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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
10.6
13.4
写入速度,GB/s
6.8
11.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3197
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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