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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
36
读取速度,GB/s
10.6
15.1
写入速度,GB/s
6.8
12.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2871
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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