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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
33
读取速度,GB/s
10.6
18.4
写入速度,GB/s
6.8
17.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3738
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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