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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
51
读取速度,GB/s
10.6
16.3
写入速度,GB/s
6.8
14.7
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2874
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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