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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
32
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
32
读取速度,GB/s
10.6
16.1
写入速度,GB/s
6.8
12.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2968
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
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