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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
30
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
17
读取速度,GB/s
10.6
21.6
写入速度,GB/s
6.8
17.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3702
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
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