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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
24
读取速度,GB/s
10.6
19.0
写入速度,GB/s
6.8
17.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
4069
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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