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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
48
读取速度,GB/s
10.6
16.6
写入速度,GB/s
6.8
15.0
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2963
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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