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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 35
    左右 14% 更低的延时
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 8500
    左右 2.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1479 left arrow 2926

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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