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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
10.6
16.0
写入速度,GB/s
6.8
11.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2436
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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