RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 39
    左右 23% 更低的延时
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 8500
    左右 2.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 11.5
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1479 left arrow 2264

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
内存RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
内存RAM