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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
11.1
21.6
写入速度,GB/s
8.2
16.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
3994
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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