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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16000
10600
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
11.1
16.1
写入速度,GB/s
8.2
13.5
内存带宽,mbps
10600
16000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1348
3435
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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