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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
42
读取速度,GB/s
11.1
14.5
写入速度,GB/s
8.2
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
2750
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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