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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
11.1
16.5
写入速度,GB/s
8.2
10.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
2829
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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