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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
7.2
17.9
写入速度,GB/s
3.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3538
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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