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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
7.2
16.1
写入速度,GB/s
3.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3436
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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