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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
7.2
13.6
写入速度,GB/s
3.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2403
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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