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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
7.2
19.4
写入速度,GB/s
3.0
16.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3899
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
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