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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
7.2
15.9
写入速度,GB/s
3.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2326
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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