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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
12.2
14.0
写入速度,GB/s
7.8
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1763
2519
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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