Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

总分
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

总分
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 38
    左右 29% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.9 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.1 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 38
  • 读取速度,GB/s
    12.2 left arrow 15.9
  • 写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 15.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1763 left arrow 3264
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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