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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
14.2
17.7
写入速度,GB/s
13.6
13.2
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3266
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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