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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
14.2
19.4
写入速度,GB/s
13.6
16.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3646
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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